СПИСОК

научных трудов к.т.н., доцента Драча Владимира Евгеньевича

SPIN-код автора: 9241-0460

 

п/п

 

Наименование

Печатная или на правах рукописи

Издательство, журнал (год, номер) или номер авторского свидетельства

К-во

печат.

лист.

или

стр.

 

Фамилия соавтора

 

1

Прямое и обратное преобразования Фурье при физическом моделировании магнитных и электромагнитных явлений

 

Печатный

Тез.докл.межвуз.научно-техн. конф. “Прогрессивные технологии и конструкции, механизация и автоматизация производственных процессов в машино- и приборостроении”. Калуга, 1997.С.77-78

 

2

 

Румянцев М.А.

2

Компьютерное моделирование работы гальваномагнитных преобразователей

 

Печатный

Тез. докл. межвуз. научно-техн. конф.   “Прогрессивные технологии и конструкции, механизация и автоматизация производственных процессов в машино- и приборостроении”. Калуга, 1997. С.71-72

2

Румянцев М.А.

3

Автоматизированная установка для исследования деградационных процессов в МДП-структурах после воздействий ионизирующих и космических излучений

Печатный

Тридцать четвёртые чтения, посвящённые разработке научного наследия и развитию идей К.Э. Циолковского, Калуга, 1999. С. 167-167

4

Коротыгин С.В.

4

Аппаратно-программный комплекс для автоматизированного контроля МДП-структур

 

Печатный

Тридцать четвёртые чтения, посвящённые разработке научного наследия и развитию идей К.Э. Циолковского, Калуга, 1999. С. 18.

 

1

Найдёнов Д.В.

5

Алгоритм управления печатающим устройством в программах-утилитах PC-PRINT, PC-PHOTO и PC-PLOTS

Печатный

Тридцать четвёртые чтения, посвящённые разработке научного наследия и развитию идей К.Э. Циолковского, Калуга, 1999. С. 37.

1

Сазонов В.А.

6

Алгоритм получения данных с цифрового вольтметра и сохранения в формате электронной таблицы

Печатный

Тридцать четвёртые чтения, посвящённые разработке научного наследия и развитию идей К.Э. Циолковского, Калуга, 1999. С. 19

1

 

7

Аппаратная реализация метода управляемой токовой нагрузки

Печатный

Международная научно-техническая конференция «Приборостроение-99», Ялта, 1999. С.289-292

4

Барышев В.Г.,

Коротыгин С.В.,

Лоскутов С.А.,

Чухраев И.В.

8

Аппаратно-программный комплекс автоматизированного контроля параметров МДП-структур

 

Печатный

Юбилейная Всероссийская научно-техническая конференция «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Калуга, 1999.С.126

1

Коротыгин С.В.,

Лоскутов С.А.

9

MIS Structures C-V Characteristics Simulation Subject To Surface State Density

Печатный

Abstracts of 2nd International Conference ”Advances in Modern Natural Sciences”. Kaluga, 2000. P.155.

2

S.V. Korotygin,

A.L. Tkachenko,

I.V. Chukhraev

10

Волновые представления пространственно-временных процессов

Печатный

Всероссийская науч.-тех. конференция ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении”, Калуга, 2000.С.177

1

Каменарович М.Б.,

Коротыгин С.В.

11

Приложение преобразования Фурье к представлению о волновой природе времени

Печатный

Всероссийская науч.-тех. конференция ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении”, Калуга, 2000.С.179

1

Каменарович М.Б.,

Коротыгин С.В.

12

Цифровой фильтр на основе преобразования Фурье для обработки экспериментальных данных

Печатный

1-ая Российская конференция молодых учёных по математическому моделированию, г. Москва, 2000. С.217-219

3

Барышев В.Г.,

Коротыгин С.В.

13

Математическое моделирование зависимостей вольт-фарадных характеристик МДП-структур

 

Печатный

1-ая Российская конференция молодых учёных по математическому моделированию г. Калуга, 2000.С.139-140

2

Андреев В.В.,

Коротыгин С.В.

14

Особенности сильнополевой туннельной инжекции в МДП-структурах с жидким электродом

 

Печатный

Региональная научно-техническая конференция студентов и аспирантов ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении ”, Калуга, 2000.С.34

1

 

15

Методика контроля зарядовой дефектности МДП-структур в процессе производства

 

Печатный

Всероссийская науч.-тех. конференция ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении”, Калуга, 2000. С.120

1

Коротыгин С.В.,

Лоскутов С.А.,

Чухраев И.В.

16

Программное обеспечение для автоматизированной установки контроля параметров МДП-структур

 

Печатный

Всероссийская науч.-тех. конференция ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении”, Калуга, 2000.С.121

1

Барышев В.Г.,

Коротыгин С.В.,

Лоскутов С.А.

17

Исследование зарядовой дефектности МДП-структур

 

Печатный

Восьмая всероссийская межвузовская науч.-тех. конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2001», Москва, 2001.С.7

1

Коротыгин С.В.

18

Автоматизированная установка регулирования и измерения температуры

 

Печатный

Региональная научно-техническая конференция студентов и аспирантов  ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении”, Калуга, 2001.С.132

1

 

19

Автоматизированная установка для исследования  параметров диэлектрических слоев МДП-структур

Печатный

Сборник трудов Международной науч.-техн. конф. ”Приборостроение-2001”, Симеиз-Винница, 2001. С.20

1

Лоскутов С.А.,

Чухраев И.В.

20

Влияние инжекционной обработки на зарядовую дефектность МДП-структур

 

Печатный

Труды 2-й Межвузовской научной школы молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине», Москва, 2001. С.182-186

5

Столяров М.А.

21

Метод контроля релаксирующих зарядов в МДП-структурах после воздействия ионизирующих излучений

 

Печатный

Труды XI Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела», Москва, 2001. С.428-432

5

Барышев В.Г.,

Бондаренко Г.Г.,

Лоскутов С.А.,

Чухраев И.В.

22

Влияние инжекционной тренировки на зарядовую нестабильность МДП-структур

Печатный

1-я Российская конференция молодых ученых по физическому материаловедению

Калуга, 2001. С.89

2

Андреев В.В.,

Барышев В.Г.,

Вихров С.П.

23

Влияние плазмоструйной обработки на электрофизические характеристики МДП-структур

Печатный

1-я Российская конференция молодых ученых по физическому материаловедению

Калуга, 2001. С.109.

1

Андреев В.В.,

Столяров А.А.,

Масловский В.М.

24

Метод исследования зарядовой деградации

МДП-структур при воздействии радиации

 

Печатный

1-я Российская конференция молодых ученых по физическому материаловедению

Калуга, 2001. С.87-88.

1

Барышев В.Г.,

Бондаренко Г.Г.,

Столяров М.А.

25

Влияние инжекционной тренировки на дефектность МДП-структур

 

Печатный

Всероссийская науч.-тех. конференция «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Москва, 2001. С.73

1

Андреев В.В.,

Столяров М.А.

26

Correction of Parameters of Metal-Oxide-Semiconductor Devices by Electron Injection in High-Fields

 

Печатный

The Sixth Sino-Russian International Symposium “New Materials and Technologies in 21st Century”, Beijing, China, 2001. P.481

1

G.G. Bondarenko,

V.V. Andreev,

V.G. Baryshev,

A.A. Stolyarov

27

Plasma and injection modification of gate dielectric in MOS structures

 

Постер

E-MRS 2002, Strasbourg, France, 2002. Ref. No.: K PII.52

10

G.G. Bondarenko,

V.V. Andreev,

V.M. Maslovsky,

A.A. Stolyarov

28

Degradation and Modification of Gate Dielectric in MOS Structures by High-field Multilevel Current Stress

 

Постер

AVS 49th International Symposium, Denver, CO, USA, 2002. Abstract Number: 291

Program Number: DI+EL-WeP6

11

G.G. Bondarenko,

V.V. Andreev,

A.A. Stolyarov

29

Исследование влияния температуры на генерацию и релаксацию положительного заряда в диэлектрической пленке МДП-структур

Печатный

Региональная  науч.-тех. конференция студентов и аспирантов «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Калуга, 2002. С.89

1

 

30

Влияние сильнополевой инжекции на дефектность МДП-структур

 

Печатный

Международный научно-методический семинар "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах"

Москва, 2002. С.170-174

3

В.В. Андреев

В.Г. Барышев

М.А. Столяров

31

Исследование статистического распределения параметров МДП-структур, подвергшихся инжекционной модификации

 

Печатный

III Межвузовская научная школа молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине" Москва, 2002. С.111-115

5

М.А. Столяров

А.Л. Ткаченко

32

Метод двухуровневой токовой нагрузки для контроля параметров положительного заряда МДП-структур в сильных электрических полях

Печатный

Международная конференция "Физика электронных материалов"

Калуга, 2002.

С.380-381

2

В.В. Андреев

В.Г. Барышев

Г.Г. Бонадренко

М.А. Столяров

33

Two-level current stress technique for monitoring of positive charge parameters of MIS structures high fields

Печатный

Internation Conf. Proceed. PEM'2002. Kaluga. 2002 P. 381.

1

Andreev V.V.,

Baryshev V.G.,

Bondarenko G.G.,

Stolyarov M.A. 

34

Протонная модификация электрофизических характеристик структур металл- диэлектрик-полупроводник

 

Печатный

XXXII Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, 27-29 май 2002, Москва, 2002, с.135

 

Андреев В.В.,

Бедняков А.А.,

Бондаренко Г.Г.,

Новиков Л.С.,

Соловьев Г.Г.,

Столяров А.А.

35

Зарядовая деградация МДП-структур с тонким подзатворным диэлектриком при сильнополевых нагрузках

 

Печатный

Региональная  науч.-тех. конференция студентов и аспирантов «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Калуга, 2003. С.354

1

Андреев В.В.

Лоскутов С.А.

36

Исследование релаксации зарядового состояния короткоканальных МДП-транзисторов после сильнополевой инжекции

 

Печатный

Региональная  науч.-тех. конференция студентов и аспирантов «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Калуга, 2003. С.355

1

Андреев В.В.

Столяров А.А.

Ling C.H.

37

Исследование МДП-транзисторов после сильнополевой инжекции по проходным характеристикам

 

Печатный

Региональная  науч.-тех. конференция студентов и аспирантов «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Калуга, 2003. С.29

1

 

38

Исследование инжекционно модифицированных диэлектрических слоев МДП-структур с термостабильной компонентой заряда

Интернет-публикация

Интернет-конференция

"Московский областной центр новых информационных технологий "

2

Столяров А.А.

Андреев В.В.

Ткаченко А.Л.

39

Метод двухуровневой токовой нагрузки для контроля параметров положительного заряда МДП-структур в сильных электрических полях

 

Печатный

Ж. «Перспективные материалы», 2003, №5,

стр. 94-99

6

Барышев В.Г.

Бондаренко Г.Г.

Столяров М.А.

Андреев В.В.

40

Plasma and injection modification of the gate dielectric in MOS structures

 

Печатный

Ж. Thin Solid Films 427, (2003), 377-380

doi:10.1016/S0040-6090(02)01146-X

4

G.G. Bondarenko,

V.V. Andreev,

V.M. Maslovsky,

A.A. Stolyarov

41

Регистрации протонного излучения с использованием структур металл-диэлектрик-полупроводник

 

Печатный

Тез. Докл.  XXXII  Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, МГУ, 2003. С.129.

1?

Андреев В.В.,

Новиков Л.С.,

Соловьёв Г.Г.,

Столяров А.А.,

Лоскутов С.А. 

42

Исследование процессов сильнополевой инжекционной модификации и деградации МДП-структур

 

Печатный

Ж. «Перспективные материалы», 2004, №2,

стр. 20-27

8

Андреев В.В.

Бондаренко Г.Г.

Дегтярев В.Т.

Столяров М.А.

43

Контроль качества КМДП-ИС с учетом температурной зависимости генерации положительного заряда методом управляемой токовой нагрузки

Печатный

Труды МГТУ. – 2005. – №5. –

С.19-24.

5

Андреев В.В.,

Орехов С.Ю.

44

Схема оперативного управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика КМДП-ИС

Печатный

Юбилейный сборник статей: Труды МГТУ. - 2005. - № 591.

6

Лоскутов С.А.

Чухраев И.В.

45

Контроль качества подзатворного диэлектрика МДП-структур на основе температурной зависимости генерации положительного заряда

Печатный

Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении: Материалы Всероссийской НТК. – М., 2005. – Т.1.

1

Лоскутов С.А.

Чухраев И.В.

46

Study of temperature dependence of positive charge generation in thin dielectric film of MOS structure under high-fields

 

Печатный

Proc. of the 13th International Congress on Thin Films & 8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces & Nanostructures. – Stockholm, 2005. – P.86.

1

G.G. Bondarenko,

V.V. Andreev, et al.

47

Investigation of temperature dependence of positive charge generation in MOS structures under high-field electron injection

Печатный

FIEM-05: Proc. of the International conference. – Kaluga, 2005. – P.92.

2

V.V. Andreev,

S.A. Loskutov,

A.A. Stolyarov

48

Влияние температуры на накопление положительного заряда в МДП-структурах в условиях сильнополевой инжекции

Печатный

Перспективные материалы. – 2006. – №4, с.32

6

Андреев В.В.

Бондаренко Г.Г.

Лоскутов С.А.

Столяров М.А.

Чухраев И.В.

49

Температурная зависимость генерации положительного заряда в термических пленках SiO2 МДП-структур при управляемой сильнополевой инжекции электронов 

Печатный

Концентрированные потоки энергии в индустрии наносистем, материалов и живых систем: Сборник трудов школы-семинара. – М., 2006.

1

 

50

Study of temperature dependence of positive charge generation in thin dielectric film of MOS structure under high-fields

 

Thin solid films. –2006. – V.515. Issue 2, P. 670–673

3

Bondarenko G.G.,

Andreev V.V.,

Loskutov S.A.

51

Генерация положительного заряда в наноразмерных пленках SiO2 МДП-структур в условиях сильнополевой туннельной инжекции

Печатный

Первая Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»: Сборник трудов школы-семинара. – М., 2008, с.142

9

 

52

Применение современных САПР в проектировании устройств микро- и наноэлектроники

Печатный

Вторая Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»: Сборник трудов шко-лы-семинара. – М., 2009.

2

 

53

Деградация наноразмерных короткоканальных МДП транзисторов при сильнополевой туннельной инжекции

 

Материалы X международной молодежной научно-технической конференции учащихся, студентов, аспирантов и молодых ученых "наукоемкие технологии и интеллектуальные системы – 2009 (TECHNOLOGY & SYSTEMS-2009)", Москва, 2009

 

 

54

Применение визуализаторов к объектам наноинженерии

Печатный

Третья Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»: Сборник трудов школы-семинара. – М., 2010, с.250-255

6

Афанасьев Д.А.

55

Моделирование усилителя мощности диапазона СВЧ

 

Печатный

Радиопромышленность, 2011, выпуск 1, с.41-51

10

И.В. Чухраев,

А.А. Яшин

56

Деградация МДП-структур с наноразмерными диэлектрическими слоями в сильных электрических полях

Печатный

Четвёртая Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»: Сборник трудов школы-семинара. – М., 2011, с.119-123

5

В.Г. Дмитриев

А.А. Щербаков

57

Методика мониторинга генерации заряда в наноразмерном диэлектрике МДП-транзистора

 

Наука и образование: электронное научно-техническое издание. 2012. № 2. 77-30569/332405

 

И.В. Чухраев

58

Исследование дефектности изоляции и зарядовой дефектности подзатворного диэлектрика МДП-структур с Al и жидкими электродами

 

Наука и образование: электронное научно-техническое издание. 2012. № 3. 77-30569/332441

 

И.В. Чухраев

59

Перспективные методы контроля зарядовой нестабильности подзатворного диэлектрика МДП-приборов

 

Наука и образование: электронное научно-техническое издание. 2012. № 4. 77-30569/332565

 

С.А. Лоскутов

И.В. Чухраев

60

Усилитель для головных телефонов с бинауральным эффектом

Печатный

Радио. 2012. № 6, с.11

 

А.В. Родионов

61

Генерация заряда в транзисторах с наноразмерным диэлектриком

Печатный

Вопросы радиоэлектроники, серия ОТ, 2012, X, выпуск 3, с.115-122

8

И.В. Чухраев

О.М.Смирнова

62

Рупорный облучатель с диаграммой направленности специальной формы

 

Печатный

Вопросы радиоэлектроники, серия ОТ, 2012, X, выпуск 3, с.43-50

8

А.Г. Белоусов,

А.А. Ганичев,

И.В. Чухраев

63

Комплексное исследование качества подзатворного диэлектрика МДП-ИС

Печатный

Радиопромышленность. – 2013. – Вып. 3. – C.96-103.

8

И.В. Чухраев

64

Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью для субмикронных МДП-транзисторов

Печатный

Радиопромышленность. – 2013. – Вып. 3. – C.104-112.

9

И.В. Чухраев

65

Перспективные альтернативы технологии КМОП

Печатный

III-я международная научно-практическая конференция "Теоретические и прикладные аспекты современной науки": сборник научных трудов (г. Белгород, 30 сент. 2014 г.: в 5 ч. Часть I.) – г. Белгород: ИП Петрова М.Г. – 2014. – N3-1. – С.55-60.

6

А.В. Родионов

66

Border traps in nanoscale MOSFET gate dielectric

Печатный

In the World of Scientific Discoveries (Natural & Technical Sciences Scientific Journal). – 2014. - No. 10(58). – pp. 67-80

14

А.В. Родионов

67

Моделирование волноводно-щелевого излучателя с асимметричным амплитудным распределением

Печатный

Электромагнитные волны и электронные системы. – 2014. – №10. – Т.19. – С.45-49

5

А.А. Ларин,

А.В. Родионов,

И.В. Чухраев

68

Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора

Печатный

Электромагнитные волны и электронные системы. – 2014. – №10. – Т.19. – С.79-84

6

А.В. Родионов

69

Перспективные технологии производства элементной базы телекоммуникационных устройств

Печатный

Электромагнитные волны и электронные системы. – 2014. – №10. – Т.19. – С.85-92

8

А.В. Родионов

70

Виртуальное окружение дополненной реальности при изучении сложных технических объектов

Печатный

III междунар. науч.–практ. конф. "Приоритетные направления развития науки и образования": сборник научных трудов, г. Чебоксары: ЦНС «Интерактив плюс», 2014. C.161.

ISBN 978-5-906626-52-3

2

А.В. Родионов

71

Волноводно-щелевой излучатель с несимметричным амплитудным распределением

Печатный

Радиопромышленность. 2014. № 4 (4). С. 137-150.

 

14

Чухраев И.В.,

Ларин А.А.

72

Учитывающая температурную зависимость модель сдвига проходных характеристик МДП-транзистора с наноразмерным подзатворным диэлектриком

Печатный

Актуальные направления фундаментальных и прикладных исследовании: материалы V междунар. науч.-практ. конф. (North Charleston, SC, USA, 22-23 дек. 2014 г.) – Северный Чарльстон, Южная Каролина, США: НИЦ «Академический», 2015. – Т.2. – С.177.

3

А.В. Родионов

73

Воспроизведение программных модулей в микроконтроллерных сетях

Печатный

Международная науч-но-практическая конференция "Стратегии и тренды развития науки в современных условиях": сборник научных трудов (г. Уфа, 16-17 февр. 2015 г.) – г. Уфа: НИЦ «НИКА», – 2015. – С.82-85.

4

А.В. Родионов

74

Управляющий комплекс координатно-поворотного устройства для реализации коллиматорного метода антенных измерений

Печатный

IX-я международная научно-практическая конференция "Теоретические и прикладные аспекты современной науки": сборник научных трудов (г. Белгород, 31 мар. 2015 г.: в 6 ч. Часть II.) – г. Белгород: ИП Петрова М.Г., – 2015. – №9-2. – С.58-60.

3

Р.О. Бут,

И.В. Чухраев

75

Расширение функциональных возможностей коллиматорного метода антенных измерений

Печатный

Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия: Компьютерные технологии, управление, радиоэлектроника. 2015. Т. 15. № 2. С. 125-130.

DOI: 10.14529/ctcr150215

6

Р.О. Бут,

И.В. Чухраев

76

Charge pumping technique for MOSFET nanoscale oxide characterisation: physical background and equipment (overview)

Печатный

FEFU: School of engineering bulletin. 2015. N 2 /23 / Вестник инженерной школы ДВФУ. 2015. № 2 (23). C.10-16

7

-

77

Разработка антенных систем для высокоскоростного обмена данными

 Печатный Инновационная наука. 2015. №8-2(8) C.27-31  5

И.В. Чухраев,

Р.О. Бут

78

Безмакетное освоение программирования Raspberry Pi

Печатный Вопросы радиоэлектроники. 2015. № 8 (8). С. 133-142 10

А.В. Родионов, И.В. Чухраев

79

Энергонезависимая память по технологии 3D-NAND

Печатный Вопросы радиоэлектроники. 2015. № 8 (8). С. 78-86 9

И.В. Чухраев

80

Анализ качества технологического процесса производства полупроводниковых инжекционных лазеров 

Печатный Наукоемкие технологии. 2015. Т. 16. № 9. С. 47-50. 4

И.В. Чухраев

81

Применение излучателя Вивальди в пассивной радиолокации

Печатный Электромагнитные волны и электронные системы. – 2015. – №7. – Т.20. – С.9-13 5

А.В. Родионов,
И.В. Чухраев,
Д.А. Кузнецова

82 Устройство позиционирования излучателей зеркала коллиматора Печатный Электромагнитные волны и электронные системы. – 2015. – №7. – Т.20. – С.14-17 4

А.А. Ганичев,
И.В. Чухраев

83 Повышение точности юстировки антенн на компактных полигонах Печатный Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. – 2015.  №54. Часть 1.  С. 65-71
7

И.В. Чухраев,
Н.В. Самбуров

84 Проектирование драйвера светодиодов высокой яркости Печатный Инновационная наука. 2015. №11-2. C.69-72 4

А.Е. Корчикова

85 Direct Tunnelling and MOSFET border traps Печатный  International Journal of Advanced Studies. 2015. V. 5. no. 3. P. 75-79  5
 86  Моделирование диаграммы направленности волноводно-щелевого излучателя Х-диапазона  Печатный  Известия Тульского государственного университета. Технические науки. 2015. №12-1. С.6-13 

 И.В. Чухраев,

А.В. Родионов

87   ГИС-приложение, интегрированное с социальными сетями Печатный   Вопросы радиоэлектроники. 2016. № 2. С. 13-16.  4

 И.В. Чухраев,
А.В. Родионов,
А.И. Леченкова

88  Метод накачки заряда для исследования подзатворного диэлектрика наноразмерной толщины  Печатный   Вопросы радиоэлектроники. 2016. № 2. С. 71-76.  6

И.В. Чухраев,
А.В. Родионов

89 Моделирование антенной решетки на широкополосных излучателях Печатный Электромагнитные волны и электронные системы. – 2016. №1. Т.21. С.74-77 4

А.В. Родионов,
И.В. Чухраев,
Д.А. Кузнецова

90 Несимметричный делитель мощности СВЧ для распределительных систем ФАР Печатный Теория и техника радиосвязи. 2016. № 1. С. 85-90. 6

Требин М.В.,
Чухраев И.В.

91 Повышение уровня стабилизации драйвера светодиодов Печатный Вестник инженерной школы ДВФУ. 2016. №1 (26). C.10-16 7

А.Е. Корчикова

92 Применение подтягивающих и заземляющих резисторов при проектировании цифровых устройств Печатный Новая наука: От идеи к результату. 2016. № 3-1 (72). С. 28-31. 4

Д.А. Шаталов

93 Излучатель ФАР системы беспроводной передачи данных нового поколения Печатный Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия: Компьютерные технологии, управление, радиоэлектроника. 2016. Т. 16. № 2. С. 55-62. 8

Чухраев И.В.,
Бут Р.О.

94  Исследование медленных ловушек в подзатворном диэлектрике полевого транзистора с помощью последовательного измерения проходных характеристик Печатный Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2016. №2. (56). С. 183-188 6

-

95 Реализация форматнологического контроля данных в формате XML с помощью метаклассов на языке Python Печатный Вопросы радиоэлектроники. 2016. № 10. С. 51-54. 4

И.В. Чухраев,
А.В. Родионов

96 Программирование с контекстами и промежуточными слоями в применении к разработке HTTP-сервисов Печатный Радиопромышленность. 2016. № 4. С. 75-79. 5

И.В. Чухраев,
А.В. Родионов

97 Применение объектного отображения XML в обработке данных с повышенными требованиями к целостности Печатный Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия: Компьютерные технологии, управление, радиоэлектроника. 2016. Т. 16. № 4. С. 122-126. 5

А.В. Родионов

98 Внутренние шумы широкополосной вибраторной АФАР при двумерном сканировании лучом Печатный Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. Т.21. №7. С.16-22 4

А.В. Аксенов,
Н.В. Самбуров,
И.В. Чухраев

99 Термин «многофункциональная РЛС» Печатный Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. Т.21. №7. С.23-26 4

Н.В. Самбуров,
И.В. Чухраев

100 Аппаратная реализация метода накачки заряда Печатный Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. Т.21. №7. С.72-75 4

А.В. Родионов,
И.В. Чухраев

101 Внутренние шумы широкополосной вибраторной АФАР при двумерном сканировании лучом Печатный Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. Т. 21. № 7. С. 16-22. 7

Аксенов А.В.,
Самбуров Н.В.,
Чухраев И.В.

102 Термин «многофункциональная РЛС» Печатный Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. Т. 21. № 7. С. 23-26. 4

Самбуров Н.В.,
Чухраев И.В.

103 Аппаратная реализация метода накачки заряда Печатный Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. Т. 21. № 7. С. 72-75 4

Родионов А.В.,
Чухраев И.В.

104 Оптимальное число литер моноимпульсного облучателя параболического рефлектора Печатный Электромагнитные волны и электронные системы. 2016. Т. 21. № 8. С. 55-58. 4

Р.О. Бут,
Н.В. Самбуров,
И.В. Чухраев

Go to top