Публикации

1

Прямое и обратное преобразования Фурье при физическом моделировании магнитных и электромагнитных явлений

Печатный

Тез.докл.межвуз.научно-техн. конф. “Прогрессивные технологии и конструкции, механизация и автоматизация производственных процессов в машино- и приборостроении”. Калуга, 1997.С.77-78

2

Румянцев М.А.

2

Компьютерное моделирование работы гальваномагнитных преобразователей

Печатный

Тез. докл. межвуз. научно-техн. конф. “Прогрессивные технологии и конструкции, механизация и автоматизация производственных процессов в машино- и приборостроении”. Калуга, 1997. С.71-72

2

Румянцев М.А.

Автоматизированная установка для исследования деградационных процессов в МДП-структурах после воздействий ионизирующих и космических излучений

Печатный

Тридцать четвёртые чтения, посвящённые разработке научного наследия и развитию идей К.Э. Циолковского, Калуга, 1999. С. 167-167

4

Коротыгин С.В.

4

Аппаратно-программный комплекс для автоматизированного контроля МДП-структур

Печатный

Тридцать четвёртые чтения, посвящённые разработке научного наследия и развитию идей К.Э. Циолковского, Калуга, 1999. С. 18.

Найдёнов Д.В.

5

Алгоритм управления печатающим устройством в программах-утилитах PC-PRINT, PC-PHOTO и PC-PLOTS

Печатный

Тридцать четвёртые чтения, посвящённые разработке научного наследия и развитию идей К.Э. Циолковского, Калуга, 1999. С. 37.

1

Сазонов В.А.

6

Алгоритм получения данных с цифрового вольтметра и сохранения в формате электронной таблицы

Печатный

Тридцать четвёртые чтения, посвящённые разработке научного наследия и развитию идей К.Э. Циолковского, Калуга, 1999. С. 19

1

7

Аппаратная реализация метода управляемой токовой нагрузки

Печатный

Международная научно-техническая конференция «Приборостроение-99», Ялта, 1999. С.289-292

4

Барышев В.Г.,

Коротыгин С.В.,

Лоскутов С.А.,

Чухраев И.В.

8

Аппаратно-программный комплекс автоматизированного контроля параметров МДП-структур

Печатный

Юбилейная Всероссийская научно-техническая конференция «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Калуга, 1999.С.126

1

Коротыгин С.В.,

Лоскутов С.А.

9

MIS Structures C-V Characteristics Simulation Subject To Surface State Density

Печатный

Abstracts of 2nd International Conference ”Advances in Modern Natural Sciences”. Kaluga, 2000. P.155.

2

S.V. Korotygin,

A.L. Tkachenko,

I.V. Chukhraev

10

Волновые представления пространственно-временных процессов

Печатный

Всероссийская науч.-тех. конференция ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении”, Калуга, 2000.С.177

1

Каменарович М.Б.,

Коротыгин С.В.

11

Приложение преобразования Фурье к представлению о волновой природе времени

Печатный

Всероссийская науч.-тех. конференция ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении”, Калуга, 2000.С.179

1

Каменарович М.Б.,

Коротыгин С.В.

12

Цифровой фильтр на основе преобразования Фурье для обработки экспериментальных данных

Печатный

1-ая Российская конференция молодых учёных по математическому моделированию, г. Москва, 2000. С.217-219

3

Барышев В.Г.,

Коротыгин С.В.

13

Математическое моделирование зависимостей вольт-фарадных характеристик МДП-структур

Печатный

1-ая Российская конференция молодых учёных по математическому моделированию г. Калуга, 2000.С.139-140

2

Андреев В.В.,

Коротыгин С.В.

14

Особенности сильнополевой туннельной инжекции в МДП-структурах с жидким электродом

Печатный

Региональная научно-техническая конференция студентов и аспирантов ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении ”, Калуга, 2000.С.34

1

15

Методика контроля зарядовой дефектности МДП-структур в процессе производства

Печатный

Всероссийская науч.-тех. конференция ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении”, Калуга, 2000. С.120

1

Коротыгин С.В.,

Лоскутов С.А.,

Чухраев И.В.

16

Программное обеспечение для автоматизированной установки контроля параметров МДП-структур

Печатный

Всероссийская науч.-тех. конференция ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении”, Калуга, 2000.С.121

1

Барышев В.Г.,

Коротыгин С.В.,

Лоскутов С.А.

17

Исследование зарядовой дефектности МДП-структур

Печатный

Восьмая всероссийская межвузовская науч.-тех. конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2001», Москва, 2001.С.7

1

Коротыгин С.В.

18

Автоматизированная установка регулирования и измерения температуры

Печатный

Региональная научно-техническая конференция студентов и аспирантов ”Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении”, Калуга, 2001.С.132

1

19

Автоматизированная установка для исследования параметров диэлектрических слоев МДП-структур

Печатный

Сборник трудов Международной науч.-техн. конф. ”Приборостроение-2001”, Симеиз-Винница, 2001. С.20

1

Лоскутов С.А.,

Чухраев И.В.

20

Влияние инжекционной обработки на зарядовую дефектность МДП-структур

Печатный

Труды 2-й Межвузовской научной школы молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине», Москва, 2001. С.182-186

5

Столяров М.А.

21

Метод контроля релаксирующих зарядов в МДП-структурах после воздействия ионизирующих излучений

Печатный

Труды XI Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела», Москва, 2001. С.428-432

5

Барышев В.Г.,

Бондаренко Г.Г.,

Лоскутов С.А.,

Чухраев И.В.

22

Влияние инжекционной тренировки на зарядовую нестабильность МДП-структур

Печатный

1-я Российская конференция молодых ученых по физическому материаловедению

Калуга, 2001. С.89

2

Андреев В.В.,

Барышев В.Г.,

Вихров С.П.

23

Влияние плазмоструйной обработки на электрофизические характеристики МДП-структур

Печатный

1-я Российская конференция молодых ученых по физическому материаловедению

Калуга, 2001. С.109.

1

Андреев В.В.,

Столяров А.А.,

Масловский В.М.

24

Метод исследования зарядовой деградации

МДП-структур при воздействии радиации

Печатный

1-я Российская конференция молодых ученых по физическому материаловедению

Калуга, 2001. С.87-88.

1

Барышев В.Г.,

Бондаренко Г.Г.,

Столяров М.А.

25

Влияние инжекционной тренировки на дефектность МДП-структур

Печатный

Всероссийская науч.-тех. конференция «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Москва, 2001. С.73

1

Андреев В.В.,

Столяров М.А.

26

Correction of Parameters of Metal-Oxide-Semiconductor Devices by Electron Injection in High-Fields

Печатный

The Sixth Sino-Russian International Symposium “New Materials and Technologies in 21st Century”, Beijing, China, 2001. P.481

1

G.G. Bondarenko,

V.V. Andreev,

V.G. Baryshev,

A.A. Stolyarov

27

Plasma and injection modification of gate dielectric in MOS structures

Постер

E-MRS 2002, Strasbourg, France, 2002. Ref. No.: K PII.52

10

G.G. Bondarenko,

V.V. Andreev,

V.M. Maslovsky,

A.A. Stolyarov

28

Degradation and Modification of Gate Dielectric in MOS Structures by High-field Multilevel Current Stress

Постер

AVS 49th International Symposium, Denver, CO, USA, 2002. Abstract Number: 291

Program Number: DI+EL-WeP6

11

G.G. Bondarenko,

V.V. Andreev,

A.A. Stolyarov

29

Исследование влияния температуры на генерацию и релаксацию положительного заряда в диэлектрической пленке МДП-структур

Печатный

Региональная науч.-тех. конференция студентов и аспирантов «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Калуга, 2002. С.89

1

30

Влияние сильнополевой инжекции на дефектность МДП-структур

Печатный

Международный научно-методический семинар "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах"

Москва, 2002. С.170-174

3

В.В. Андреев

В.Г. Барышев

М.А. Столяров

31

Исследование статистического распределения параметров МДП-структур, подвергшихся инжекционной модификации

Печатный

III Межвузовская научная школа молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине" Москва, 2002. С.111-115

5

М.А. Столяров

А.Л. Ткаченко

32

Метод двухуровневой токовой нагрузки для контроля параметров положительного заряда МДП-структур в сильных электрических полях

Печатный

Международная конференция "Физика электронных материалов"

Калуга, 2002.

С.380-381

2

В.В. Андреев

В.Г. Барышев

Г.Г. Бонадренко

М.А. Столяров

33

Two-level current stress technique for monitoring of positive charge parameters of MIS structures high fields

Печатный

Internation Conf. Proceed. PEM'2002. Kaluga. 2002 P. 381.

1

Andreev V.V.,

Baryshev V.G.,

Bondarenko G.G.,

Stolyarov M.A.

34

Протонная модификация электрофизических характеристик структур металл- диэлектрик-полупроводник

Печатный

XXXII Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, 27-29 май 2002, Москва, 2002, с.135

Андреев В.В.,

Бедняков А.А.,

Бондаренко Г.Г.,

Новиков Л.С.,

Соловьев Г.Г.,

Столяров А.А.

35

Зарядовая деградация МДП-структур с тонким подзатворным диэлектриком при сильнополевых нагрузках

Печатный

Региональная науч.-тех. конференция студентов и аспирантов «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Калуга, 2003. С.354

1

Андреев В.В.

Лоскутов С.А.

36

Исследование релаксации зарядового состояния короткоканальных МДП-транзисторов после сильнополевой инжекции

Печатный

Региональная науч.-тех. конференция студентов и аспирантов «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Калуга, 2003. С.355

1

Андреев В.В.

Столяров А.А.

Ling C.H.

37

Исследование МДП-транзисторов после сильнополевой инжекции по проходным характеристикам

Печатный

Региональная науч.-тех. конференция студентов и аспирантов «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении», Калуга, 2003. С.29

1

38

Исследование инжекционно модифицированных диэлектрических слоев МДП-структур с термостабильной компонентой заряда

Интернет-публикация

Интернет-конференция

"Московский областной центр новых информационных технологий "

2

Столяров А.А.

Андреев В.В.

Ткаченко А.Л.

39

Метод двухуровневой токовой нагрузки для контроля параметров положительного заряда МДП-структур в сильных электрических полях

Печатный

Ж. «Перспективные материалы», 2003, №5,

стр. 94-99

6

Барышев В.Г.

Бондаренко Г.Г.

Столяров М.А.

Андреев В.В.

40

Plasma and injection modification of the gate dielectric in MOS structures

Печатный

Ж. Thin Solid Films 427, (2003), 377-380

doi:10.1016/S0040-6090(02)01146-X

4

G.G. Bondarenko,

V.V. Andreev,

V.M. Maslovsky,

A.A. Stolyarov

41

Регистрации протонного излучения с использованием структур металл-диэлектрик-полупроводник

Печатный

Тез. Докл. XXXII Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, МГУ, 2003. С.129.

1?

Андреев В.В.,

Новиков Л.С.,

Соловьёв Г.Г.,

Столяров А.А.,

Лоскутов С.А.

42

Исследование процессов сильнополевой инжекционной модификации и деградации МДП-структур

Печатный

Ж. «Перспективные материалы», 2004, №2,

стр. 20-27

8

Андреев В.В.

Бондаренко Г.Г.

Дегтярев В.Т.

Столяров М.А.

43

Контроль качества КМДП-ИС с учетом температурной зависимости генерации положительного заряда методом управляемой токовой нагрузки

Печатный

Труды МГТУ. – 2005. – №5. –

С.19-24.

5

Андреев В.В.,

Орехов С.Ю.

44

Схема оперативного управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика КМДП-ИС

Печатный

Юбилейный сборник статей: Труды МГТУ. - 2005. - № 591.

6

Лоскутов С.А.

Чухраев И.В.

45

Контроль качества подзатворного диэлектрика МДП-структур на основе температурной зависимости генерации положительного заряда

Печатный

Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении: Материалы Всероссийской НТК. – М., 2005. – Т.1.

1

Лоскутов С.А.

Чухраев И.В.

46

Study of temperature dependence of positive charge generation in thin dielectric film of MOS structure under high-fields

Печатный

Proc. of the 13th International Congress on Thin Films & 8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces & Nanostructures. – Stockholm, 2005. – P.86.

1

G.G. Bondarenko,

V.V. Andreev, et al.

47

Investigation of temperature dependence of positive charge generation in MOS structures under high-field electron injection

Печатный

FIEM-05: Proc. of the International conference. – Kaluga, 2005. – P.92.

2

V.V. Andreev,

S.A. Loskutov,

A.A. Stolyarov

48

Влияние температуры на накопление положительного заряда в МДП-структурах в условиях сильнополевой инжекции

Печатный

Перспективные материалы. – 2006. – №4, с.32

6

Андреев В.В.

Бондаренко Г.Г.

Лоскутов С.А.

Столяров М.А.

Чухраев И.В.

49

Температурная зависимость генерации положительного заряда в термических пленках SiO₂ МДП-структур при управляемой сильнополевой инжекции электронов

Печатный

Концентрированные потоки энергии в индустрии наносистем, материалов и живых систем: Сборник трудов школы-семинара. – М., 2006.

1

50

Study of temperature dependence of positive charge generation in thin dielectric film of MOS structure under high-fields

Thin solid films. –2006. – V.515. Issue 2, P. 670–673

3

Bondarenko G.G.,

Andreev V.V.,

Loskutov S.A.

51

Генерация положительного заряда в наноразмерных пленках SiO₂ МДП-структур в условиях сильнополевой туннельной инжекции

Печатный

Первая Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»: Сборник трудов школы-семинара. – М., 2008, с.142

9

52

Применение современных САПР в проектировании устройств микро- и наноэлектроники

Печатный

Вторая Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»: Сборник трудов шко-лы-семинара. – М., 2009.

2

53

Деградация наноразмерных короткоканальных МДП транзисторов при сильнополевой туннельной инжекции

Материалы X международной молодежной научно-технической конференции учащихся, студентов, аспирантов и молодых ученых "наукоемкие технологии и интеллектуальные системы – 2009 (TECHNOLOGY & SYSTEMS-2009)", Москва, 2009

54

Применение визуализаторов к объектам наноинженерии

Печатный

Третья Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»: Сборник трудов школы-семинара. – М., 2010, с.250-255

6

Афанасьев Д.А.

55

Моделирование усилителя мощности диапазона СВЧ

Печатный

Радиопромышленность, 2011, выпуск 1, с.41-51

10

И.В. Чухраев,

А.А. Яшин

56

Деградация МДП-структур с наноразмерными диэлектрическими слоями в сильных электрических полях

Печатный

Четвёртая Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»: Сборник трудов школы-семинара. – М., 2011, с.119-123

5

В.Г. Дмитриев

А.А. Щербаков

57

Методика мониторинга генерации заряда в наноразмерном диэлектрике МДП-транзистора

Наука и образование: электронное научно-техническое издание. 2012. № 2. 77-30569/332405

И.В. Чухраев

58

Исследование дефектности изоляции и зарядовой дефектности подзатворного диэлектрика МДП-структур с Al и жидкими электродами

Наука и образование: электронное научно-техническое издание. 2012. № 3. 77-30569/332441

И.В. Чухраев

59

Перспективные методы контроля зарядовой нестабильности подзатворного диэлектрика МДП-приборов

Наука и образование: электронное научно-техническое издание. 2012. № 4. 77-30569/332565

С.А. Лоскутов

И.В. Чухраев

60

Усилитель для головных телефонов с бинауральным эффектом

Печатный

Радио. 2012. № 6, с.11

А.В. Родионов

61

Генерация заряда в транзисторах с наноразмерным диэлектриком

Печатный

Вопросы радиоэлектроники, серия ОТ, 2012, X, выпуск 3, с.115-122

8

И.В. Чухраев

О.М.Смирнова

62

Рупорный облучатель с диаграммой направленности специальной формы

Печатный

Вопросы радиоэлектроники, серия ОТ, 2012, X, выпуск 3, с.43-50

8

А.Г. Белоусов,

А.А. Ганичев,

И.В. Чухраев

63

Комплексное исследование качества подзатворного диэлектрика МДП-ИС

Печатный

Радиопромышленность. – 2013. – Вып. 3. – C.96-103.

8

И.В. Чухраев

64

Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью для субмикронных МДП-транзисторов

Печатный

Радиопромышленность. – 2013. – Вып. 3. – C.104-112.

9

И.В. Чухраев

65

Перспективные альтернативы технологии КМОП

Печатный

III-я международная научно-практическая конференция "Теоретические и прикладные аспекты современной науки": сборник научных трудов (г. Белгород, 30 сент. 2014 г.: в 5 ч. Часть I.) – г. Белгород: ИП Петрова М.Г. – 2014. – N3-1. – С.55-60.

6

А.В. Родионов

66

Border traps in nanoscale MOSFET gate dielectric

Печатный

In the World of Scientific Discoveries (Natural & Technical Sciences Scientific Journal). – 2014. - No. 10(58). – pp. 67-80

14

А.В. Родионов

67

Моделирование волноводно-щелевого излучателя с асимметричным амплитудным распределением

Печатный

Электромагнитные волны и электронные системы. – 2014. – №10. – Т.19. – С.45-49

5

А.А. Ларин,

А.В. Родионов,

И.В. Чухраев

68

Метод анализа деградации подзатворного диэлектрика быстродействующего полевого транзистора

Печатный

Электромагнитные волны и электронные системы. – 2014. – №10. – Т.19. – С.79-84

6

А.В. Родионов

69

Перспективные технологии производства элементной базы телекоммуникационных устройств

Печатный

Электромагнитные волны и электронные системы. – 2014. – №10. – Т.19. – С.85-92

8

А.В. Родионов

70

Виртуальное окружение дополненной реальности при изучении сложных технических объектов

Печатный

III междунар. науч.–практ. конф. "Приоритетные направления развития науки и образования": сборник научных трудов, г. Чебоксары: ЦНС «Интерактив плюс», 2014. C.161.

ISBN 978-5-906626-52-3

2

А.В. Родионов

71

Волноводно-щелевой излучатель с несимметричным амплитудным распределением

Печатный

Радиопромышленность. 2014. № 4 (4). С. 137-150.

14

Чухраев И.В.,

Ларин А.А.

72

Учитывающая температурную зависимость модель сдвига проходных характеристик МДП-транзистора с наноразмерным подзатворным диэлектриком

Печатный

Актуальные направления фундаментальных и прикладных исследовании: материалы V междунар. науч.-практ. конф. (North Charleston, SC, USA, 22-23 дек. 2014 г.) – Северный Чарльстон, Южная Каролина, США: НИЦ «Академический», 2015. – Т.2. – С.177.

3

А.В. Родионов

73

Воспроизведение программных модулей в микроконтроллерных сетях

Печатный

Международная науч-но-практическая конференция "Стратегии и тренды развития науки в современных условиях": сборник научных трудов (г. Уфа, 16-17 февр. 2015 г.) – г. Уфа: НИЦ «НИКА», – 2015. – С.82-85.

4

А.В. Родионов

74

Управляющий комплекс координатно-поворотного устройства для реализации коллиматорного метода антенных измерений

Печатный

IX-я международная научно-практическая конференция "Теоретические и прикладные аспекты современной науки": сборник научных трудов (г. Белгород, 31 мар. 2015 г.: в 6 ч. Часть II.) – г. Белгород: ИП Петрова М.Г., – 2015. – №9-2. – С.58-60.

3

Р.О. Бут,

И.В. Чухраев

75

Расширение функциональных возможностей коллиматорного метода антенных измерений

Печатный

Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия: Компьютерные технологии, управление, радиоэлектроника. 2015. Т. 15. № 2. С. 125-130.

DOI: 10.14529/ctcr150215

6

Р.О. Бут,

И.В. Чухраев

76

Charge pumping technique for MOSFET nanoscale oxide characterisation: physical background and equipment (overview)

Печатный

FEFU: School of engineering bulletin. 2015. N 2 /23 / Вестник инженерной школы ДВФУ. 2015. № 2 (23). C.10-16

7

-

77

Разработка антенных систем для высокоскоростного обмена данными

И.В. Чухраев,

Р.О. Бут

78

Безмакетное освоение программирования Raspberry Pi

А.В. Родионов, И.В. Чухраев

79

Энергонезависимая память по технологии 3D-NAND

И.В. Чухраев

80

Анализ качества технологического процесса производства полупроводниковых инжекционных лазеров

И.В. Чухраев

81

Применение излучателя Вивальди в пассивной радиолокации

А.В. Родионов,
И.В. Чухраев,
Д.А. Кузнецова

А.А. Ганичев,
И.В. Чухраев

И.В. Чухраев,
Н.В. Самбуров

А.Е. Корчикова

И.В. Чухраев,

А.В. Родионов

И.В. Чухраев,
А.В. Родионов,
А.И. Леченкова

И.В. Чухраев,
А.В. Родионов

А.В. Родионов,
И.В. Чухраев,
Д.А. Кузнецова

Требин М.В.,
Чухраев И.В.

А.Е. Корчикова

Д.А. Шаталов

Чухраев И.В.,
Бут Р.О.

-

И.В. Чухраев,
А.В. Родионов

И.В. Чухраев,
А.В. Родионов

А.В. Родионов

А.В. Аксенов,
Н.В. Самбуров,
И.В. Чухраев

Н.В. Самбуров,
И.В. Чухраев

А.В. Родионов,
И.В. Чухраев

Р.О. Бут,
Н.В. Самбуров,
И.В. Чухраев

Шаталов Д.А.

Лоскутов С.А.,

Корчикова А.Е.

Корчикова А.Е.

Сиркели А.И.

-

Радиотехнические и телекоммуникационные системы. 2021. № 4 (44). С. 67-72.

Журнал радиоэлектро-ники. 2021. № 10. C. 1-9.

https://doi.org/10.30898/1684-1719.2021.10.3

Ильичев В.Ю., Драч В.Е.

Печатный

SCOPUS

Печатный

SCOPUS